采用电荷平衡原理,使得n型漂移区即使在较高掺杂浓度的情况下也能实现较高的击穿电压,从而获得较低的导通电阻,打破传统功率mosfet的硅极限。 hrmicro sgt产品具有栅漏电容(cgd)小,开关损耗低 ,优值(fom)低,抗大电流冲击能力(eas)强等特点,结合先进的封装技术增加了源极金属的接触面积,减少封装寄生电阻,增强了器件高温工作状态下的散热性能。
hrmicro推出的第二代、第三代超结mosfet系列产品,打破了传统平面vdmos的硅极限,使得导通电阻与击穿电压的关系得到了极大的改进,由传统的2.5次方变为线性关系,极大的优化了器件的品质因数fom(rdson*qg),比传统vdmos具有更快的开关速度,更低的开关损耗,更优的转换效率;第二代及第三代超结mosfet分别针对性的优化了emi特性、产品特征导通电阻特性,同时,也带来了dfn 8*8、to-247等多种多样的封装形式,全面适用于照明应用、各类电源、适配器、手机、电脑等多种应用场景; 第二代及第三代超结同时推出了快恢复系列产品,极大的缩短了超结mosfet的反向恢复时间,提高了反向恢复能力,降低了反向恢复损耗,适用于半桥、全桥等拓扑电路中,可应用于各种大功率电源、充电桩等产品中。
沟槽式金属氧化物场效应晶体管( trench mosfet )与传统vdmos相比,具有更低的导通电阻rdson和栅漏电荷密度,从而可实现更低的导通和开关损耗及更快的开关速度。hrmicro的trench mosfet通过采用最先进的沟槽技术和芯片布局,可应用于工作频率小于100khz的各种应用领域,很好的补充hrmicro的sgt系列产品,具有抗冲击能力强,输出效率高,成本低等特点;hrmicro结合最先进的封装技术,可实现更高的输出功率和可靠性,同时拥有各种小封装产品可进一步提高电路集成度。