如今的许多应用环境，如计算和存储、通信交换机和路由器以及无线通信，越来越依赖于数据处理，为了满足5g通信下庞大的数据体系，进一步推动了5g通信设备中功率电路的发展应用。整个电源系统必须具有高能效和高密度，以提供所需的高水平电源性能。
新洁能推出的super-junction mosfet gen.3&split gate trench mosfet 系列产品在保持合理的功耗下将高能效发挥到极致，全面提升了器件的开关特性和导通特性。在优化供电的所有关键方面，通过功能性升级与工艺技术优化来降低总体成本。
目前，新洁能已推出第二代split gate trench mosfet,相比于第一代产品，第二代产品特征导通电阻降低20%以上，esd能力、大电流关断能力、短路能力提升20%以上，具有更低的栅极电阻，可以满足客户更高能效更高可靠性的需求，产品的性价比进一步提升。
pfc:
& & & ：vds=650v-700v ron@10v（max）=140mω-360mω
fly back:
& & & ：vds=650v-700v ron@10v（max）=140mω-360mω
同步整流：
& ：vds=100v-150v ron@10v（max）＜10mω